〔記者方韋傑／台北報導〕鴻海(2317)旗下鴻騰精密(FIT)持續推進AI光互連技術，日本電信巨頭NTT集團旗下NTT Innovative Devices執行顧問佐藤義昭(Yoshiaki Sato)表示，雙方已合作開發高速連接器，具備500個接點，每個接點可支援200Gbps傳輸速度，目前還有多項合作持續進行，包括外部雷射開發。

佐藤指出，NTT Innovative Devices同時具備數位IC及光元件技術，正運用過去40年累積的光通訊技術，解決AI資料中心面臨的功耗問題。隨著GPU等數位IC效能提升，輸入輸出介面數量及傳輸速度同步增加，使電氣連接功耗持續上升，因此NTT規劃逐步將光通訊從長距離傳輸導入資料中心內部。

在技術發展路徑上，佐藤表示，GPU互連一般由Scale-up逐步延伸至Scale-across，但光通訊原本應用於長距離，因此NTT採取相反方向，先從Scale-across導入，再朝Scale-out發展，最終進入Scale-up，讓光互連逐步從資料中心之間走向資料中心內部，甚至進一步連接數位IC。

NTT第一代光電融合元件PC1主要鎖定資料中心之間的連接，透過整合矽半導體與化合物半導體光元件，形成同時具備光與電輸入輸出的元件，目前已經商品化；合作夥伴採用相關元件打造的模組，傳輸速度可達800Gbps，並降低功耗。

第二代PC2則進一步進入資料中心內部，包括採用博通(Broadcom)Tomahawk 6、100Tbps交換器晶片的設備，晶片周圍配置16個光介面，單一介面傳輸容量達6.4Tbps；相較一般方式使用Tomahawk 6，整體可降低50%功耗，且光介面採取可插拔設計。

其中，高速介面即有鴻騰參與，佐藤表示，NTT與鴻騰共同開發相關連接器，具備500個接點，每個接點可支援200Gbps傳輸速度；除連接器之外，雙方還有數項合作持續推進，目前也正在進行外部雷射開發。

展望下一階段，佐藤認為，在第一代、第二代光電融合技術完成後，NTT正挑戰封裝間光互連，目前仍處於研發階段。相較前兩代光電融合元件並未將雷射整合其中，封裝間連接需要雷射，但既有雷射技術難以因應，因此NTT正在開發結構不同的薄膜雷射(Membrane Laser)。

佐藤指出，薄膜雷射具備體積小、低功耗及大容量等特性，NTT計畫進一步將雷射與電子元件融合，開發光學晶粒(Optical Chiplet)，若技術完成，即可讓數位IC之間透過光進行連接，持續將光電融合技術往AI運算系統內部推進。