AI資料中心推升高容量儲存需求，3D NAND技術競爭也由過去單純追求堆疊層數，逐步轉向結構、製程、電路及控制器的整合優化。法人指出，隨NAND層數突破300層甚至朝400層以上發展，通道孔蝕刻、晶圓鍵合及QLC效能與耐用度成為新一代技術瓶頸。從主要NAND原廠技術發展來看，SK hynix率先在321層NAND導入3段通孔設計，降低高深寬比蝕刻及通道孔對位難度；Kioxia與SanDisk的332層2Tb QLC則結合CMOS直接鍵合、一排6平面、專用金屬配線及電源雜訊管理；Samsung V10 BV-NAND則利用晶圓鍵合技術朝400層以上發展。高層數NAND競爭核心已從堆積層數，轉向晶圓鍵合與QLC有效容量等技術的協同設計。

隨3D NAND持續向更高層數推進，通道孔蝕刻將成為關鍵製程瓶頸。法人分析，未來每GB NAND成本不再單純取決於堆疊層數，而是由完成晶圓成本、良品裸晶數及有效可售容量共同決定。晶圓鍵合雖可最佳化周邊CMOS與記憶體陣列，但也提高晶圓平坦度及整合良率的技術要求。另一方面，QLC成為提高NAND儲存密度的重要方向，相較TLC可增加33%原始位元容量，但單一儲存單元必須處理16種臨界電壓狀態，對錯誤校正、控制器及企業級SSD架構提出更高要求。新一代3D NAND產業價值逐漸從製造低成本位元，轉向透過控制器與韌體把高密度QLC轉化為具備效能與可靠性的企業級儲存容量。

在台廠受惠名單方面，法人首選群聯（8299）。群聯全面布局NAND控制器、韌體、客製化儲存方案及PASCARI企業級SSD，並非單純的記憶體模組業者。隨高層數QLC加速導入資料中心，QLC面臨較窄儲存電壓區間、寫入放大及延遲一致性等難題，這將進一步大幅提高群聯在控制器與韌體的技術價值與護城河。此外，宜鼎（5289）則屬於系統端受惠的指標標的，目前已積極布局PCIe Gen5及最高128TB的QLC企業級E3.L SSD。法人認為，若AI資料中心及邊緣運算客戶加速採用高容量SSD，宜鼎極有機會由既有的工控儲存市場進一步向企業級儲存應用強勢延伸，精準掌握新一代3D NAND規格升級的龐大商機。

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