知名半導體分析師陸行之指出，記憶體產業的資本開支明顯加速。（資料照，陳品佑攝）

​記憶體在AI熱潮之下備受關注，在日前飆漲又經歷重大回檔修正後，產業消息依然不斷，全球投資人關注，對此，知名半導體分析師陸行之指出，記憶體產業的資本開支明顯加速，不過下游庫存創新高、排擠效應造成手機與電腦需求不振，未來漲價及獲利率空間將被壓抑，「讓我們對存儲記憶體產業保持觀望態度」。

陸行之在文章表示，雖然全球存儲記憶體產業鏈最近的回檔整理告一段落，今年第2季記憶體的資本開支年增明顯加速，但資本密度（capital density）還創歷史新低，第3季DRAM、NAND的價量齊揚仍明顯高於市場預期。

陸行之指出，連續性漲價驅動下游模組及AI伺服器組裝廠，因擔心旺季缺貨而加碼建立了歷史新高的庫存月數，加上記憶體佔整體AI伺服器的半導體比率超過4成，以及因存儲記憶體漲價排擠效應造成的手機、電腦需求不振，未來漲價及獲利率續創新高的空間將受到壓抑，讓他們對存儲記憶體產業保持觀望態度。

陸行之說，建議投資人於下半年持續關注全球存儲記憶體產業的資本開支及客戶庫存月數的變化。

陸行之提到，在主要的存儲記憶體龍頭公布今年第2季資本開支後，他們總結，第2季資本開支季增僅5%，年增則是59%，明顯高於上個季度的39%；累計4個季度資本開支年增29%，高於上個季度的21%。

陸行之分析，雖然全球記憶體產業資本開支有明顯增速，但第2季的資本密度（資本支出占營收比率）竟然創歷史新低至13%，低於第1季的19%與去年同期的32%，更明顯低於過去週期高點的40%以上。他們將此變化歸因於存儲記憶體產業，尤其是DRAM、NAND Flash的價格在今年第2季有超過50%的漲幅，過去一年更有逾200%漲幅。

陸行之指出，根據《彭博社》分析師預估，未來資本開支年增2026年66%、2027年35%、2028年14%，假設存儲記憶體合約價格穩定，未來幾年的資本密度能會保持在相對健康的20%以下，除非記憶體大廠將資本開支大幅上修，超過分析師預期，而影響數據分析。

陸行之總結，目前的結論是，雖然短期資本開支被明顯拉高，但全球存儲記憶體產業的資本密度，仍非常有紀律的被大廠維持著。