英特爾（Intel）晶圓代工部門宣布，採用高數值孔徑極紫外光刻（High-NA EUV）技術所處理的晶圓累計產量已突破100萬片大關，內容涵蓋設備認證、測試研發與部分產品層量產。這項成果不僅意味著技術成功從實驗室邁向實體產線，處理總量更已超過全球其他採用該技術的晶片業者總和，持續鞏固先發優勢。
這項新技術屬於傳統極紫外光（EUV）的進階版本，其物鏡數值孔徑從原本的0.33顯著提升至0.55。藉由這項技術，晶圓廠能刻劃出更精細的電路圖形，同時簡化複雜的多重曝光工序，進一步提高晶體管密度並降低製造難度，不過生產成本與工藝控制的要求也隨之提升。
目前英特爾已在美國奧勒岡州部署至少三台設備，投入部分18A製程生產。採用該技術製造的Panther Lake處理器部分層 ，在套刻精度、吞吐量及設備可用率上皆已符合內部預期。
在生產策略上，英特爾並未將18A製程全數改用新機器，而是挑選關鍵層進行試產，同時與傳統0.33數值孔徑設備的加工成果進行對比。測試結果顯示，使用新技術生產的18A層性能已經持平，甚至超越傳統平台，可望替客戶提供更穩定的先進製程選項。
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