中國近年推動技術自主的進展有目共睹，但至今仍未開發出可與 ASML 媲美的光刻設備，這項短板嚴重拖累國內半導體產業。Nvidia 行政總裁黃仁勳認為，中國將在未來三至四年內開發出自家的先進光刻系統。

黃仁勳在《All-In Podcast》訪問中表示，中國會在 2030 年前做到，並形容「2030 年轉眼就到」。他指出，中國非常擅長大量生產，達成這項能力「只是時間問題」，兩三年不過是一瞬間的事，對中國而言「他們已經做到了」。黃仁勳一向對中國技術發展持樂觀態度，他曾形容中國的 AI 產業「緊隨」美國前沿實驗室之後。

目前中國領先的光刻設備生產商上海微電子裝備（SMEE）可大量生產 193 納米 ArF 乾式掃描器，用於 90 納米級製程的晶片製造。該公司據報已開發出可支援 28 納米的 ArF 浸潤式掃描器，但沒有公開證據顯示這類系統已大量生產並用於高產量晶片製造。另有報道指 SMEE 旗下或關聯公司上海 Aishengna 電子科技集團已交付首部浸潤式掃描器，可能具備以 28 納米級製程曝光晶片的能力，但這類設備需要經過大量驗證才能投產，若按標準時間推進，仍需數年才可用於大量生產晶片。即使首批掃描器在 2026 年交付中國晶片商，要在 2028 至 2029 年前廣泛投入生產亦機會不大；而且即使性能追平 ASML 早期世代的浸潤式掃描器，仍會明顯落後於 ASML 現行系統，要在 2030 年前於 ArF 浸潤式光刻技術上達到同等水平並不容易。

中國在極紫外光（EUV）光刻領域的落後程度更大。雖然有報道指中國科學家已開發出可產生 13.5 納米波長所需光源的激光等離子體技術，但中國似乎連組裝 EUV 掃描器原型也仍遙遠。生產級光刻掃描器需要在晶圓與光罩平台、對準、疊對、投影光學及量測等方面具備極高能力。若中國仍難以把浸潤式 DUV 的相關能力產業化，就沒有理由假設它已在要求更高的 EUV 層面解決這些問題。不過，考慮到 AI 競賽的關鍵程度，以及中國政府追求技術自主的決心，達成目標或許真的只是時間問題。