AI熱潮帶動全球記憶體需求暴增，中國業者也趁勢大舉擴產。摩根士丹利（Morgan Stanley）最新報告指出，長鑫科技（CXMT）、長江存儲（YMTC）產能快速成長，其中長鑫DRAM月產能預估將從2025年的18萬片增至2028年的50萬片，屆時產能規模可能超越美光（Micron）、躋身全球第三；長江存儲則可能在2028年前後成為全球第二大NAND供應商。

摩根士丹利分析，2026至2027年AI伺服器需求仍強，加上三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）及美光把更多產能轉向高毛利的HBM（高頻寬記憶體），使傳統DRAM供應持續吃緊，中國新增產能短期仍可被市場吸收。長鑫2026年DRAM月產能估達30萬片，約占全球晶圓產能13%，到2028年將進一步擴至50萬片。

真正的變數可能出現在2028年。大摩指出，屆時除了長鑫、長江存儲持續擴產，三星、SK海力士與美光的新產能也將陸續開出；若AI需求成長同步降溫，全球記憶體市場可能重新面臨供給過剩。長江存儲目前NAND出貨量已躍居全球第三，大摩預估其2028年前後市占率最高可能達24%，進一步挑戰全球第二。

不過，中國業者在高階產品仍有技術差距。大摩指出，長鑫DRAM製程目前約落後三星、美光兩個世代，HBM3E也面臨良率及供應鏈限制；但在DDR5、LPDDR5等主流產品快速擴產下，對全球記憶體供需的影響正逐步放大。大摩因此將2028年視為重要分水嶺，屆時中國新增產能能否持續被AI需求消化，將成為記憶體市場供需走向的關鍵。

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