中國DRAM製造大廠長鑫存儲（CXMT）傳出積極擴大產品布局，規劃進軍NAND快閃記憶體市場，引發全球儲存晶片版圖重組關注。據路透報導指出，長鑫存儲正計畫在北京一座新廠建置NAND快閃記憶體研發生產線，儘管長鑫存儲尚未確認量產時程，但此舉若成真，將對三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）與長江存儲（YMTC）等既有巨頭構成挑戰。

根據研調機構Counterpoint Research最新數據，全球第二季NAND市場龍頭仍為三星電子，市占率達28%；SK海力士以19%居次，美光市占率約15%，長江存儲、鎧俠（Kioxia）各占14%，晟碟（SanDisk）則占11%。分析指出，儘管美光與SK海力士均有約四分之一營收仰賴NAND，但若長鑫存儲初期以滿足中國本土市場為主，首當其衝的將是同屬中國本土陣營的長江存儲，對國際大廠的實質侵蝕短期內相對有限。

此外，受惠AI與運算需求爆發，記憶體市場正處於高速擴張週期，Counterpoint數據顯示第二季DRAM市場季增57%、NAND市場更季增達70%，為既有業者提供充裕的獲利防禦空間。市場普遍評估長鑫存儲從研發推進至成熟量產仍具變數與挑戰，美光（MU-US）周五於美股勁揚3.92%，SK海力士ADR也上漲2.46%，盤面走勢反映投資人對外部競爭威脅態度相對淡定。

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