AI伺服器持續吃掉高階記憶體產能，HBM供給仍吃緊，但成熟DRAM市場卻可能率先迎來價格壓力。中國長鑫科技（688825）三大生產基地工程進度均已超過96％，新增產能預計從2026年下半年至2027年陸續釋放，市場關注與其產品高度重疊的南亞科（2408）、華邦電（2344）後續營運，其中南亞科與長鑫直接競爭重疊度估約70％，價格受到的影響程度甚至可能超過90％。

DRAM價格自2025年下半年一路大漲，2026年第一季漲幅更由原估55％至60％上修至90％至95％，第二季再漲58％至63％。不過，隨消費市場逐漸碰到價格承受上限，加上長鑫新製程加入供給，第三季DRAM漲幅已收斂至約13％至18％。

長鑫合肥一期、二期及北京廠合計投資預算達人民幣2,828.1億元，三座廠仍有227.68億元設備及工程尚未轉為固定資產，意味後續還有產能等待開出。雖然設備轉為固定資產不代表立即滿載，仍須經過試產、良率提升與客戶認證，但有效供給預計將陸續反映在今年下半年及2027年。

目前長鑫主要出貨仍集中於一般DDR與LPDDR，DDR5已量產，LPDDR4X、LPDDR5及LPDDR5X也已出貨，因此擴產壓力首先將落在DDR4、中低階DDR5與行動裝置等成熟市場。相較之下，全球需求成長最快的HBM與伺服器高階DDR5，短期供需仍相對緊張，2027年記憶體市場可能出現「高階續缺、成熟產品先鬆動」的分化格局。

南亞科目前產品仍以DDR4及低功耗DDR4為主，DDR5約占2026年第二季營收10％，與長鑫產品規格重疊度估達85％；考量客戶認證、銷售區域、車規與工控等因素後，實際直接競爭程度約70％。隨雙方持續向DDR5、LPDDR5等新世代產品升級，競爭範圍恐在2027年進一步擴大。

市場後續將聚焦DRAM現貨價與合約價走勢，以及南亞科、華邦電月營收增速。若現貨價格率先轉跌、合約價仍維持上漲，或兩家公司營收成長速度連續放緩，都可能成為這波記憶體景氣循環開始轉折的重要訊號。

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