隨著生成式AI與大型語言模型在全球掀起狂潮，AI晶片對記憶體的需求直線飆升。然而，傳統SRAM在先進製程中已逼近微縮極限，導致高頻寬記憶體（HBM）的功耗與成本不斷膨脹，形成嚴峻的「AI Memory Wall」。面對這場算力危機，由矽谷華人許富菖領軍的NEO Semiconductor在今年全球記憶體盛會（FMS 2026）拋出震撼彈，強勢發表新一代X-SRAM與NEO.AI平台，為全球半導體產業注入強心針。
為了解決AI晶片內建記憶體容量嚴重不足的痛點，NEO.AI平台首度整合了X-SRAM與3D X-DRAM兩大核心技術。這兩項創新技術更在FMS 2026大放異彩，雙雙殺入Best of Show Awards決賽，展現強大的技術輾壓實力。NEO Semiconductor創辦人暨執行長許富菖在主題演講中直言：「當傳統記憶體逐漸接近物理極限，AI Memory Wall已成為下一代AI發展的重要挑戰。透過NEO.AI平台整合X-SRAM與3D X-DRAM，我們希望同時提升晶片內建記憶體與HBM容量，打造更高效、更具擴充性的AI記憶體架構。」
根據官方數據，X-SRAM在完全相容先進Nanosheet CMOS製程下，竟能提供高達傳統SRAM的5倍記憶體密度！這意味著AI晶片內建容量可望從目前的200至400MB，爆發性成長至1至2GB。不僅如此，X-SRAM未來甚至具備發展3D SRAM的潛力，有望再將密度推升20倍以上。許富菖也透露，創新的3D X-DRAM已與國立陽明交通大學產學創新研究學院及國家實驗研究院台灣半導體研究中心完成概念驗證測試晶片開發，正火速朝商業化邁進。
高昂的存取功耗一直是AI發展的致命傷，而X-SRAM技術預估可大幅降低HBM存取功耗約50%至80%，直接切中產業最迫切的需求。宏碁集團創辦人暨台積電前董事施振榮對此高度讚賞：「AI正快速改變全球產業，而記憶體將是支撐下一階段AI發展的重要關鍵。我很高興看到NEO Semiconductor持續推出X-SRAM與NEO.AI等創新技術，為突破AI記憶體瓶頸提供新的方向，也期待這些創新能為台灣及全球半導體產業帶來更多可能。」
隨著這波AI記憶體技術的重大突破，不僅有望打破算力發展的極限，更將帶動全球半導體供應鏈的全面升級。未來若成功商業化並與全球晶圓代工廠展開深度合作，勢必將為台灣半導體產業鏈注入龐大的技術動能與產能紅利，進一步鞏固台灣在全球AI板塊中的資金吸引力與關鍵地位。